英特尔涨近3% 将在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管

摘要： 来源：格隆汇英特尔(INTC.US)涨近3%，报43.945美元。9日，英特尔在IEDM2023(2023IEEE国际电子器件会议)上展示了使用背面电源触点将晶体管缩小到1纳米及...

来源：格隆汇

英特尔(INTC.US)涨近3%，报43.945美元。9日，英特尔在IEDM2023(2023IEEE国际电子器件会议)上展示了使用背面电源触点将晶体管缩小到1纳米及以上范围的关键技术。英特尔表示将在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。

英特尔表示，其将继续推进摩尔定律的研究进展，包括背面供电和直接背面触点(direct backside

contacts)的3D堆叠CMOS晶体管，背面供电研发突破的扩展路径(如背面触点)，并在同一块300毫米晶圆上(而非封装)中实现硅晶体管与氮化镓(GaN)晶体管的大规模单片3D集成。